MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
SKU
DMG2302UK-7DIDKR-ND
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Canal N 20 V 2,8A (Ta) 660mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
| Qtd. | Preço |
|---|---|
| 1 | R$ 3,49 |
| 10 | R$ 2,36 |
| 100 | R$ 1,22 |
| 500 | R$ 1,07 |
| 1000 | R$ 0,89 |
Fabricante
Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante
DMG2302UK-7
Descrição
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Descrição detalhada
Canal N 20 V 2,8A (Ta) 660mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Part Number | DMG2302UK-7 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Disponibilidade (Lead Status) | Lead Status unavailable |
| Nome Fabricante | Diodes Incorporated |
| Tempo de Espera Previsto do Fabricante | 12 week(s) |
| Site do Fabricante | https://www.digikey.pt |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situação do REACH (Registro, Avaliação, Autorização e Restrição de Substâncias Químicas) | Não afetado por REACH |
| Série | - |
| Especificações | |
| Situação da RoHS | Conformidade com ROHS3 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Pacote / Invólucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Tipo de FET | Canal N |
| Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 2,8A (Ta) |
| Rds on (máx.) para Id, Vgs | 90mOhm a 3,6A, 4,5V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de potência (máx.) | 660mW (Ta) |
| Vgs(th) (máx.) para Id | 1V a 250µA |
| Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-23-3 |
| Grau | Automotivo |
| Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5V, 4,5V |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V |
| Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 2.8 nC @ 10 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 130 pF @ 10 V |
| Qualificação | AEC-Q101 |
Os produtos semicondutores discretos incluem transistores individuais, diodos e tiristores, como também conjuntos pequenos deles compostos de dois, três, quatro ou alguma outra quantidade pequena de dispositivos similares dentro de um único invólucro. Eles são normalmente utilizados para construir circuitos com considerável estresse de tensão ou corrente, ou para realizar funções muito básicas de circuitos.
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